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2026年10月20日

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应英伟达要求 三星首次在HBM中使用台积电工艺

消息传来,曾经试图垄断整个AI存储产业链的三星电子,终于在英伟达的强势主导下妥协。

据报道,受英伟达新一代定制高带宽内存(NVHBM)标准化要求的影响,三星同意在其下一代高性能存储芯片中采用台积电的3纳米工艺来制造基片(Base Die)。与此同时,英伟达还要求所有核心芯片统一使用“1c工艺”,即其定义的第六代DRAM技术节点。

这将是三星历史上第一次在高端HBM制造阶段与老牌对手台积电展开实质性合作。

“交钥匙”模式的终结者

过去十几年里,三星在存储芯片领域构建起一道极深的护城河——Turn-key(交钥匙)模式。

在这种模式下,从HBM的设计、晶圆制造到最终封装测试,全部由三星内部独立完成。客户不需要分别去找不同的存储厂和代工方协调,拿到的成品是无缝衔接的闭环方案。这种全产业链自研的策略不仅保障了良品率的稳定可控,也让三星在面对国际竞争时拥有了无可替代的成本优势和技术壁垒。SK海力士虽然在部分环节有外包,但在高端市场曾长期依赖这种全栈式的能力来维持利润率。

但现在,这道闭环被英伟达强行打开了缺口。

NVHBM并非单纯的性能升级,而是一场旨在抹平各家存储供应商之间差异的“标准化运动”。英伟达将自主研发的定制内存控制器直接集成到基础芯片中,试图让三星、SK海力士和美光科技生产的内存产品在接口和性能上完全对齐。这意味着英伟达不再被动适应存储厂商的私有标准,而是主动定义规则。

为了实现这一目标,英伟达必须确保一个硬性前提:基础芯片只能出自同一种先进的制造工艺。如果三家厂商各自使用自己的私有制程,英伟达就需要为每一家的产品进行单独的质量验证。在AI军备竞赛分秒必争的今天,英伟达等不起反复试错的时间。因此,指定台积电3nm工艺,成了最简单粗暴的控制手段。

据英伟达官方数据,这种标准化的NVHBM相比标准HBM4E可以实现30%的内存带宽增益,同时降低15%的功耗。这些指标的达成,高度依赖于制造一致性。通过强制统一基片来源,英伟达实质上把原本分散在各存储巨头手中的技术定价权和验证成本收归己有。

SK海力士的分身术与三星的困境

在这场博弈中,SK海力士显得游刃有余。

早在英伟达提出明确要求之前,SK海力士就已经采取了一种“专业分工”的模式:它将HBM的基片环节交由台积电代工,自身则专注于核心的DRAM设计和系统级封装。这种策略虽然在初期面临更高的供应链管理成本和沟通摩擦,但也让它成功避开了重资产投入带来的沉没风险。更重要的是,当英伟达下达“统一基片来源”的死命令时,SK海力士几乎不需要改动现有产线就能完美达标,从而在订单竞争中占据了先机。

反观三星,内部审查后选择接受英伟达的要求,本质上是一种止损策略。尽管这意味着要放弃引以为傲的Turn-key模式,且未来要向竞争对手台积电支付高昂的代工费用,但在AI算力的巨大诱惑面前,三星不得不低头。毕竟,失去英伟达这个大客户的订单,其损失远高于给台积电交出的代工利润。

消息人士透露,三星虽然接受了这一安排,但计划保留其内部生产模式,用于生产标准HBM和其他非英伟达体系的定制产品。此外,三星还在探索作为NVHBM基片产能备份的可能性,这意味着它并未完全退出这一细分赛道。然而,短期内三星在高端AI存储领域的议价能力将被显著稀释,其Turn-key模式的排他性优势已经不复存在。

谁在吃红利?半导体权力结构的重塑

这场变局背后,是全球半导体产业权力结构的重新洗牌。

对于台积电而言,这不仅是拿到了一笔新的代工订单,更是突破了过去在存储领域“只代工不碰核心”的界限。通过切入HBM基片制造,台积电正式确立了自己在AI顶级供应链中的不可替代地位。它不再只是一个逻辑芯片的代工商,而是变成了决定AI算力上限的关键守门人。考虑到英伟达目前在全球AI加速卡市场的统治力,这部分代工业务带来的战略价值远超财务收益。

对于英伟达来说,这是控制力边界的再次扩张。通过定义“3nm基片+1c核心”的标准接口,英伟达成功绕过了传统存储巨头的技术垄断。未来,任何想要在AI存储领域分一杯羹的玩家,都必须跨过英伟达设定好的门槛。这不仅降低了英伟达自身的研发负担,也为后续推出更多定制化硬件铺平了道路。

当然,代价也是明确的。三星的Turn-key模式不再具有绝对的排他性优势,其在HBM领域的议价能力将被稀释。未来,高端存储的竞争将不再仅仅是DRAM产能的比拼,更是先进半导体代工产能的深度捆绑。这意味着存储厂商的竞争力将越来越受制于代工方的技术水平,产业链的话语权正在向设计端和制造端两头集中。

后续关注点

三星目前计划保留其内部生产模式,用于生产标准HBM和其他非英伟达体系的定制产品。但这只是短期的战术安排,长期的战略走向仍有待观察。

接下来有几个关键指标值得密切跟踪:

其一,三星何时公布与台积电在3nm HBM基片上的具体量产时间表及良率数据。这将直接影响其对英伟达的供货承诺能否兑现,也是检验三星过渡期管理能力的重要标尺。

其二,台积电在先进制程产能本就紧缺的情况下,如何分配这部分新增的HBM代工配额。是否会影响到其他逻辑芯片客户如高通、苹果或AMD的交付进度,这将牵动整个半导体产业链的神经。

其三,由于代工费用的介入,三星向英伟达提供的HBM综合报价将如何重构。这会反过来侵蚀存储厂商原有的毛利率结构,也需要关注英伟达是否愿意分担部分制控成本以维持供应链稳定。

最后,面对台积电的深度介入,三星是否会加速其自身的先进制程研发步伐以收回失去的控制权。若三星无法在合理时间内重建独立制造能力,其在AI时代的全球竞争地位将面临结构性挑战,这决定了全球半导体代工市场的未来竞争烈度与格局演变方向。



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