Rambus将AI/ML训练应用程序的HBM2E性能提高到4.0 Gbps

亮点：

• 完全集成的HBM2E内存接口解决方案，包括经过验证的PHY和控制器，实现了业界最快的性能
• 新的性能标杆支持为人工智能/机器学习（AI/ML）训练应用程序所要求TB级带宽的加速器
• 与SK hynix和Alchip合作开发2.5D HBM2E内存系统解决方案，采用TSMC N7工艺和CoWoS先进的封装技术
• 提供无与伦比的系统专业知识，支持客户并提供中介层和封装参考设计，加快上市时间

加州圣何塞2020年9月10日 /美通社/ -- Rambus Inc.（NASDAQ:RMBS）是一家专注于使数据更快更安全并领先业界的silicon IP和芯片提供商。今天，宣布它的 HBM2E内存接口解决方案实现了创纪录的4 Gbps性能。该解决方案由完全集成的PHY和控制器组成，搭配业界最快的，来自SK hynix的3.6Gbps运行速度的HBM2E DRAM，该解决方案可以从单个HBM2E设备提供460 GB/s的带宽。此性能可以满足TB级的带宽需求，针对最苛刻的AI/ML训练和高性能的加速器计算（HPC）应用而生。